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35GQ100PBF

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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35GQ100PBF概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

35GQ100PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流270 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PD-94232D
SCHOTTKY RECTIFIER
HIGH EFFICIENCY SERIES
35GQ100
JANS1N7069T1
JANTX1N7069T1
JANTXV1N7069T1
35Amp, 100V
Ref: MIL-PRF-19500/761
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
@ tp = 8.3ms half-sine
V
F
@ 35Apk, T
J
=125°C
1N7069T1
35
100
270
1.0
Units
A
V
A
V
°C
Description/Features
The 1N7069T1 Schottky rectifier has been expressly
designed to meet the rigorous requirements of high
reliability environments. It is packaged in the hermetic
isolated TO-254AApackage. The device's forward
voltage drop and reverse leakage current are optimized
for the lowest power loss and the highest circuit efficiency
for typical high frequency switching power supplies and
resonent power converters. Full MIL-PRF-19500 quality
conformance testing is available on source control
drawings to TX, TXV and S quality levels.
• Hermetically Sealed
• Low Forward Voltage Drop
• High Frequency Operation
• Guard Ring for Enhanced Ruggedness and Long term
Reliability
• Lightweight
• ESD Rating: Class NS per MIL-STD-750, Method 1020
0.12 [.005]
6.60 [.260]
6.32 [.249]
1.27 [.050]
1.02 [.040]
T
J
,T
stg
Operating and storage
-65 to 150
CASE STYLE
3.78 [.149]
3.53 [.139]
A
13.84 [.545]
13.59 [.535]
17.40 [.685]
16.89 [.665]
1
2
3
20.32 [.800]
20.07 [.790]
13.84 [.545]
13.59 [.535]
B
C
14.48 [.570]
12.95 [.510]
0.84 [.033]
MAX.
3X
3.81 [.150]
2X
1.14 [.045]
0.89 [.035]
0.36 [.014]
B A
3.81 [.150]
NOTES :
1.
2.
3.
4.
DIMENS IONING & TOLERANCING PER AS ME Y14.5M-1994.
ALL DIMENS IONS ARE S HOWN IN MILLIMETE RS [INCHES ].
CONTROLLING DIMENS ION: INCH.
CONFORMS T O JEDEC OUT LINE TO-254AA.
CATHODE OPEN ANODE
Case Outline and Dimensions - TO-254AA
www.irf.com
1
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35GQ100PBF相似产品对比

35GQ100PBF
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合
包装说明 HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-254AA
JESD-30 代码 S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流 270 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -65 °C
最大输出电流 35 A
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 100 V
表面贴装 NO
技术 SCHOTTKY
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端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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