HCT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PDSO14
HCT系列, 8输入 与非门, PDSO14
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 系列 | HCT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 1 |
| 输入次数 | 8 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 42 ns |
| 传播延迟（tpd） | 42 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| M54HCT30F1R | M74HCT30M1R | M74HCT30C1R | M74HCT30 | M74HCT30B1R | M54HCT30 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | HCT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PDSO14 | HCT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PDSO14 | HCT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PDSO14 | HCT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PDSO14 | HCT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PDIP14 | HCT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PDSO14 |
| 系列 | HCT | HCT | HCT | HCT | HCT | HCT |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 20 | 14 | 14 | 14 |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | Yes | NO | Yes |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | J BEND | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 | - | 符合 | - |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | - |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | QFN | - | DIP | - |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | SOP, SOP14,.25 | CC-20 | - | PLASTIC, DIP-14 | - |
| 针数 | 14 | 14 | 20 | - | 14 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | compli | compli | - | compli | - |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | R-PDSO-G14 | S-PQCC-J20 | - | R-PDIP-T14 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e4 | e3 | - | e3 | - |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF | - | 50 pF | - |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | - | NAND GATE | - |
| 最大I（ol） | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | - | 0.004 A | - |
| 输入次数 | 8 | 8 | 8 | - | 8 | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 85 °C | - | 125 °C | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -40 °C | - | -55 °C | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | DIP | SOP | QCCJ | - | DIP | - |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | SOP14,.25 | LDCC20,.4SQ | - | DIP14,.3 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE | - | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | CHIP CARRIER | - | IN-LINE | - |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | - | 5 V | - |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 42 ns | 42 ns | 35 ns | - | 42 ns | - |
| 传播延迟（tpd） | 42 ns | 42 ns | 35 ns | - | 42 ns | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | - |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO | - | NO | - |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 1.75 mm | 4.57 mm | - | 5.1 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | - | 5 V | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - | CMOS | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 2.54 mm | - |
| 宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm | 8.9662 mm | - | 7.62 mm | - |
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