NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
BPX 38
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1120 nm
• Hohe Linearität
• Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
Basisanschluß, geeignet bis 125
°
C
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Features
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1120 nm
• High linearity
• Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection, suitable up to 125
°
C
• Available in groups
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Typ
Type
BPX 38
BPX 38-2/3
BPX 38-3
BPX 38-4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P0015
Q62702P3578
Q62702P0015S003
Q62702P0015S004
2005-03-30
1
BPX 38
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 125
50
50
200
7
220
450
Einheit
Unit
°
C
V
mA
mA
V
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
2005-03-30
2
BPX 38
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
880
450 … 1120
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
0.675
1
×
1
±
40
mm
2
mm
×
mm
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
1.8
5.5
µA
µA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
23
39
47
20 (≤100)
pF
pF
pF
nA
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3
BPX 38
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
-2
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Wert
Value
-3
-4
-5
Einh.
Unit
0.2 … 0.4 0.32 … 0.63 0.5 … 1.0
≥
0.8 mA
0.95
1.5
2.3
3.6
mA
9
12
15
18
µs
t
r
,
t
f
V
CEsat
200
200
200
200
mV
I
PCE
----------
-
I
PCB
170
280
420
650
–
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
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4
BPX 38
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Dark Current
I
CEO
/
I
CEO25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
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5
京公网安备 11010802033920号
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