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TB31262F

产品描述TOSHIBA Bi- CMOS Integrated Circuit Silicon Monolithic
产品类别无线/射频/通信    电信电路   
文件大小273KB,共26页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TB31262F概述

TOSHIBA Bi- CMOS Integrated Circuit Silicon Monolithic

TB31262F规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码QFP
包装说明QFP,
针数52
Reach Compliance Codeunknow
JESD-30 代码S-PQFP-G52
长度10 mm
功能数量1
端子数量52
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.45 mm
标称供电电压3.6 V
表面贴装YES
技术BICMOS
电信集成电路类型CORDLESS TELEPHONE RF AND BASEBAND CIRCUIT
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10 mm

 
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