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M58LW064A150ZA6T

产品描述64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
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文件大小292KB,共53页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M58LW064A150ZA6T概述

64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories

M58LW064A150ZA6T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明1 MM PITCH, TBGA-64
针数64
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间150 ns
其他特性SYNCHRONOUS MODE OF OPERATION ALSO POSSIBLE
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B64
JESD-609代码e1
长度13 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模64
端子数量64
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA64,8X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
电源1.8/3.6,3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模1M
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度10 mm
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