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IR21093S

产品描述Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.35A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小90KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IR21093S概述

Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.35A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8

IR21093S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码SOIC
包装说明MS-012AA, SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
高边驱动器YES
接口集成电路类型HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度4.9 mm
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
标称输出峰值电流0.35 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
电源15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压20 V
最小供电电压10 V
标称供电电压15 V
电源电压1-最大620 V
电源电压1-分钟5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
断开时间0.28 µs
接通时间0.95 µs
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

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Data Sheet No. PD60193
IR21093
(S)
HALF-BRIDGE DRIVER
Features
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout for both channels
3.3V, 5V and 15V input logic compatible
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channels
High side output in phase with IN input
Logic and power ground +/- 5V offset
Internal 540ns dead-time
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
Product Summary
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
on/off
(typ.)
Dead Time
600V max.
120 mA / 250 mA
10 - 20V
750 & 200 ns
540 ns
Packages
Description
The IR21093(S) are high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT drivers with dependent high and
low side referenced output channels. Proprietary HVIC
and latch immune CMOS technologies enable rugge-
8-Lead SOIC
8-Lead PDIP
dized monolithic construction. The logic input is
compatible with standard CMOS or LSTTL output,
down to 3.3V logic. The output drivers feature a high
pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to
drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.
Typical Connection
up to 600V
V
CC
V
CC
IN
V
B
HO
V
S
TO
LOAD
IN
COM
LO
IR21093
(Refer to Lead Assignments for correct configuration). This/These diagram(s) show electrical connections only. Please refer to our
Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.
www.irf.com
1

IR21093S相似产品对比

IR21093S IR21093
描述 Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.35A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8 Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.35A, CMOS, PDIP8, PLASTIC, MS-001AB, DIP-8
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 SOIC DIP
包装说明 MS-012AA, SOIC-8 PLASTIC, MS-001AB, DIP-8
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
高边驱动器 YES YES
接口集成电路类型 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 e0
长度 4.9 mm 9.88 mm
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
标称输出峰值电流 0.35 A 0.35 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 245 NOT SPECIFIED
电源 15 V 15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 5.33 mm
最大供电电压 20 V 20 V
最小供电电压 10 V 10 V
标称供电电压 15 V 15 V
电源电压1-最大 620 V 620 V
电源电压1-分钟 5 V 5 V
表面贴装 YES NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
断开时间 0.28 µs 0.28 µs
接通时间 0.95 µs 0.95 µs
宽度 3.9 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1
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