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MXLPLAD30KP110CAE3TR

产品描述30000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小336KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MXLPLAD30KP110CAE3TR概述

30000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

MXLPLAD30KP110CAE3TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSSO-G1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压135 V
最小击穿电压122 V
击穿电压标称值128.5 V
外壳连接CATHODE
最大钳位电压177 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G1
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压110 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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