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SMOS26N50

产品描述Power MOSFETs
文件大小56KB,共2页
制造商ETC
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SMOS26N50概述

Power MOSFETs

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SMOS21N50, SMOS26N50
Power MOSFETs
Dimensions TO-247AD
Dim.
A
B
Millimeter
Min. Max.
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
Inches
Min.
Max.
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
(TAB)
S
D
G
C
D
E
F
G
H
G=Gate, D=Drain,
S=Source,TAB=Drain
J
K
L
M
N
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
T
J
=25
o
C
to 150
o
C
Test Conditions
Maximum Ratings
500
500
±20
±30
21N50
26N50
21
26
84
104
21
26
30
Unit
V
T
J
=25
o
C
to 150
o
C;
R
GS
=1M
Continuous
Transient
T
C
=25
o
C
T
C
=25
o
C;
pulse width limited by T
JM
T
C
=25
o
C
T
C
=25
o
C
I
S
I
DM
; di/dt
100A/us; V
DD
V
DSS'
V
A
I
DM
21N50
26N50
A
I
AR
21N50
26N50
A
mJ
V/ns
E
AR
dv/dt
5

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