Hyper 5 mm (T1 ¾) LED, Non Diffused
Hyper-Bright LED
LB 5433, LV 5433, LT 5433
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
•
Gehäusetyp:
klares 5 mm (T1 ¾) Gehäuse
•
Besonderheit des Bauteils:
enge
Abstrahlcharakteristik
•
Wellenlänge:
470 nm (blau), 505 nm (verde),
528 nm (true green)
•
Abstrahlwinkel:
40°
•
Technologie:
InGaN
•
optischer Wirkungsgrad:
2 lm/W (blau),
6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)
•
Gruppierungsparameter:
Lichtstärke
•
Lötmethode:
Wellenlöten (TTW)
•
Verpackung:
Schüttgut, gegurtet lieferbar
•
ESD-Festigkeit:
ESD-sicher bis 2 kV nach
MIL STD 883 D, Method 3015,7
Anwendungen
• Informationsanzeigen im Außenbereich
• optischer Indikator
• Hinterleuchtung (Tasten, Displays,
Werbebeleuchtung, Allgemeinbeleuchtung)
• Innenbeleuchtung im Automobilbereich
(z.B. Instrumentenbeleuchtung, u. ä.)
• Ersatz von Kleinst-Glühlampen
• Signal- und Symbolleuchten
• Markierungsbeleuchtung (z.B. Stufen,
Fluchtwege, u.ä.)
Features
•
package:
clear 5 mm (T1 ¾) package
•
feature of the device:
narrow viewing angle
•
wavelength:
470 nm (blue), 505 nm (verde),
528 nm (true green)
•
viewing angle:
40°
•
technology:
InGaN
•
optical efficiency:
2 lm/W (blue),
6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)
•
grouping parameter:
luminous intensity
•
soldering methods:
TTW soldering
•
packing:
bulk, available taped on reel
•
ESD-withstand voltage:
up to 2 kV acc. to
MIL STD 883 D, Method 3015.7
Applications
• outdoor displays
• optical indicators
• backlighting (keys, displays, illuminated
advertising, general lighting)
• interior automotive lighting (e.g. dashboard
backlighting, etc.)
• substitution of micro incandescent lamps
• signal and symbol luminaire
• marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.)
2001-01-22
1
LB 5433, LV 5433, LT 5433
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
1)
Dominant wavelength
1)
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
Temperature coefficient of
λ
peak
I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
Temperature coefficient of
λ
dom
I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 20 mA
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
I
F
= 20 mA
(typ.)
Symbol
Symbol
LB
Werte
Values
LV
503
LT
523
nm
465
Einheit
Unit
λ
peak
λ
dom
∆λ
(typ.)
470
±6
25
505
±7
30
528
±9
33
nm
(typ.)
nm
(typ.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
2
ϕ
40
3.5
4.2
0.01
10
0.04
40
3.3
4.2
0.01
10
0.03
40
3.3
4.2
0.01
10
0.04
Grad
deg.
V
V
V
F
V
F
I
R
I
R
TC
λpeak
µ
A
µ
A
nm/K
(typ.)
TC
λdom
0.02
0.02
0.03
nm/K
(typ.)
TC
V
– 2.9
– 3.2
– 3.6
mV/K
(typ.)
η
opt
2
6
8
lm/W
2001-01-22
4
LB 5433, LV 5433, LT 5433
1)
Wellenlängengruppen / Wavelength groups
blue
min.
464
468
472
verde
true green
max.
525
531
537
Wellenlängengruppen werden mit einer
Stromeinprägedauer von 25 ms und einer
Genauigkeit von ±1 nm ermittelt.
Wavelength groups are tested at a current pulse
duration of 25 ms and an accuracy of ±1 nm.
Gruppe
Group
3
4
5
max. min.
468
472
476
498
503
507
max. min.
503
507
512
519
525
531
2001-01-22
5
Microchip MCU
京公网安备 11010802033920号
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