电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IDT7203S30TCB

产品描述FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小415KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
下载文档 详细参数 全文预览

IDT7203S30TCB概述

FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28

IDT7203S30TCB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间30 ns
其他特性RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)25 MHz
周期时间40 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度18432 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX9
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 331  436  535  1006  1268 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved