ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDFP24, CERPACK-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | DFP, |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
| 系列 | ABT |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 15.113 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | REGISTERED BUS TRANSCEIVER |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 24 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC） | 30 mA |
| 传播延迟（tpd） | 8.4 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| 54ABT652WQML | 54ABT652EQML | 54ABT652JQML | |
|---|---|---|---|
| 描述 | ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDFP24, CERPACK-24 | ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, LCC-28 | IC ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24, Bus Driver/Transceiver |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DFP | QLCC | DIP |
| 包装说明 | DFP, | QCCN, | DIP, |
| 针数 | 24 | 28 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 其他特性 | WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION | WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION | WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
| 系列 | ABT | ABT | ABT |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F24 | S-CQCC-N28 | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | REGISTERED BUS TRANSCEIVER | REGISTERED BUS TRANSCEIVER | REGISTERED BUS TRANSCEIVER |
| 位数 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 24 | 28 | 24 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP | QCCN | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC） | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
| 传播延迟（tpd） | 8.4 ns | 8.4 ns | 8.4 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.54 mm | 1.905 mm | 5.715 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO |
| 技术 | BICMOS | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 长度 | 15.113 mm | 11.43 mm | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
| 宽度 | - | 11.43 mm | 7.62 mm |
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