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M5M5V416BWG-70H: 产品描述256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48; 产品类别存储存储; 文件大小95KB，共10页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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M5M5V416BWG-70H概述

256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48

256K × 16 标准存储器, 70 ns, PBGA48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	8.5 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.06 mm
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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