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RN2112FT

产品描述TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2112FT概述

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN2112FT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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RN2112FT,RN2113FT
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2112FT,RN2113FT
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications.
·
·
High-density mount is possible because of devices housed in very thin
TESM packages.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more
compact equipment and save assembly cost.
Wide range of resistor values are available to use in various circuit
designs.
Complementary to RN1112FT, RN1113FT
Unit: mm
·
·
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
B
R1
JEDEC
E
g (typ.)
JEITA
TOSHIBA
Weight:
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
-50
-50
-5
-100
100
150
-55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
1
2002-01-24

RN2112FT相似产品对比

RN2112FT RN2113FT
描述 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 2-1B1A, TESM, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz

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