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M68AW127BM70N6T

产品描述1Mbit 128K x8, 3.0V Asynchronous SRAM
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文件大小121KB,共20页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M68AW127BM70N6T概述

1Mbit 128K x8, 3.0V Asynchronous SRAM

M68AW127BM70N6T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0000045 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1
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