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EDI9F32256C35MNC

产品描述SRAM Module, 1MX8, 35ns, CMOS,
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文件大小153KB,共7页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI9F32256C35MNC概述

SRAM Module, 1MX8, 35ns, CMOS,

EDI9F32256C35MNC规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 256K X 32
备用内存宽度16
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度17.272 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率1.28 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

 
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