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IS41LV44052-60J

产品描述Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
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文件大小134KB,共17页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS41LV44052-60J概述

Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

IS41LV44052-60J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, SOJ-24
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度17.145 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.556 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

IS41LV44052-60J相似产品对比

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描述 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 0.300 INCH, SOJ-24 0.300 INCH, SOJ-24 0.300 INCH, SOJ-24 SOJ, SOJ24/26,.34 0.300 INCH, SOJ-24 0.300 INCH, SOJ-24 0.300 INCH, SOJ-24 0.300 INCH, SOJ-24
针数 24 24 24 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknow unknow not_compliant unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns 50 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bi 16777216 bi 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 4096 4096 4096 4096 2048 2048 2048
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最大压摆率 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.11 mA 0.12 mA 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) - Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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