电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRFR421

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共8页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IRFR421概述

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IRFR421规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)210 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.5 A
最大漏极电流 (ID)2.5 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值50 W
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)60 ns
最大开启时间(吨)33 ns
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
M
A
A
HARRIS POWER PRODUCT LINE
TO-263AB (D
2
-PAK)
21A TO 30A
31A TO 40A
41A TO 50A
51A TO 60A
61A TO 70A
RF1S70N03SM
30V, 70A, 0.010Ω
RF1S45N03LSM
30V, 45A, 0.022Ω
RF1S60P03SM (Note)
30V, 60A, 0.027Ω
RF1S30P05SM (Note)
50V, 30A, 0.065Ω
RF1S70N06SM
60V, 70A, 0.014Ω
11A TO 20A
RF1S Series Power MOSFET TO-263AB Product Matrix
BV
DSS
r
DS(ON)
0A TO 10A
30V
0.010Ω
0.022Ω
0.027Ω
50V
0.065Ω
60V
0.014Ω
0.022Ω
0.028Ω
RF1S50N06SM
60V, 50A, 0.022Ω
RF1S45N06SM
60V, 45A, 0.028Ω
RF1S50N06LESM
60V, 50A, 0.022Ω
RF1S45N06LESM
60V, 45A, 0.028Ω
0.047Ω
0.065Ω
RF1S25N06SM
60V, 25A, 0.047Ω
RF1S30N06LESM
60V, 30A, 0.047Ω
RF1S23N06LESM
60V, 23A, 0.065Ω
RF1S30P06SM
60V, 30A, 0.065Ω
0.100Ω
0.140Ω
RF1S40N10SM
100V, 40A, 0.040Ω
RF1S40N10LESM
100V, 40A, 0.040Ω
RF1S17N06LSM
60V, 17A, 0.100Ω
RF1S15N06SM
60V, 15A, 0.140Ω
100V
0.040Ω
0.077Ω
PART NOMENCLATURE
R
X
XX XX
X
XX
XXX
0.080Ω
RF1S540SM
100V, 28A, 0.077Ω
RF1S22N10SM
100V, 22A, 0.080Ω
0.160Ω
0.200Ω
DEVICE TYPE
F: Standard MOSFET
L: Current Limited MOSFET
0.300Ω
200V
0.18Ω
RF1S530SM
100V, 14A, 0.160Ω
RF1S9540SM (Note)
100V, 19A, 0.200Ω
RF1S9530SM (Note)
100V, 12A, 0.300Ω
RF1S640SM
200V, 18A, 0.180Ω
FEATURE SUFFIX
L: Logic Level 5V Gate
SM: Surface Mount Leadform
(TO-263AB)
E: ESD Protected Device
9A: Tape and Reel
PACKAGE DESIGNATION
1S: TO-262, TO-263
VOLTAGE RATING
05 = 50V, 10 = 100V,
20 = 200V, etc.
CURRENT RATING
1 = 1A, 10 = 10A, 25 = 25A, etc.
0.400Ω
RF1S9640SM (Note)
200V, 11A, 0.500Ω
RF1S630SM
200V, 9A, 0.400Ω
0.500Ω
0.800Ω
POLARITY
N: N-Channel
P: P-Channel
EXAMPLE: RF1S60P03SM
Standard 60A, P-Channel, 30V, Surface Mount MOSFET
1000V
3.500Ω
RF1S9630SM (Note)
200V, 6.5A, 0.800Ω
RF1S4N100SM
1000V, 4.3A, 3.500Ω
NOTE: P-Channel Device
BOLD = Logic Level Devices
ITALICS = Future Offerings (2nd Quarter FY ’97)
S E M I C O N D U C TO R
LC96586_1.1
LC96586

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1412  472  2738  2511  979  50  5  14  30  47 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved