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M74HCT368M1R

产品描述HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小234KB,共11页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M74HCT368M1R概述

HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING

M74HCT368M1R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP16,.25
针数16
Reach Compliance Codecompli
其他特性ONE FUNCTION WITH TWO BITS
控制类型ENABLE LOW
系列HCT
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e4
长度9.9 mm
负载电容(CL)150 pF
逻辑集成电路类型BUS DRIVER
最大I(ol)0.006 A
位数6
功能数量1
端口数量2
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
输出极性INVERTED
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP16,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Su36 ns
传播延迟(tpd)45 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm

M74HCT368M1R相似产品对比

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描述 HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING
是否Rohs认证 符合 - 符合 - 符合 - 不符合 不符合 -
零件包装代码 SOIC - DIP - QFN - DIP DIP -
包装说明 SOP, SOP16,.25 - DIP, DIP16,.3 - QCCJ, LDCC20,.4SQ - DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 -
针数 16 - 16 - 20 - 16 16 -
Reach Compliance Code compli - compli - compli - _compli _compli -
其他特性 ONE FUNCTION WITH TWO BITS - ONE FUNCTION WITH TWO BITS - ONE FUNCTION WITH TWO BITS - ONE FUNCTION WITH TWO BITS ONE FUNCTION WITH TWO BITS -
控制类型 ENABLE LOW - ENABLE LOW - ENABLE LOW - ENABLE LOW ENABLE LOW -
系列 HCT - HCT - HCT - HCT HCT -
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 - R-PDIP-T16 - S-PQCC-J20 - R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 -
JESD-609代码 e4 - e3 - e3 - e0 e0 -
负载电容(CL) 150 pF - 150 pF - 150 pF - 150 pF 150 pF -
逻辑集成电路类型 BUS DRIVER - BUS DRIVER - BUS DRIVER - BUS DRIVER BUS DRIVER -
最大I(ol) 0.006 A - 0.006 A - 0.006 A - 0.006 A 0.006 A -
位数 6 - 6 - 6 - 6 6 -
功能数量 1 - 1 - 1 - 1 1 -
端口数量 2 - 2 - 2 - 2 2 -
端子数量 16 - 16 - 20 - 16 16 -
最高工作温度 125 °C - 125 °C - 85 °C - 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -55 °C - -55 °C - -40 °C - -55 °C -55 °C -
输出特性 3-STATE - 3-STATE - 3-STATE - 3-STATE 3-STATE -
输出极性 INVERTED - INVERTED - TRUE - INVERTED TRUE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED -
封装代码 SOP - DIP - QCCJ - DIP DIP -
封装等效代码 SOP16,.25 - DIP16,.3 - LDCC20,.4SQ - DIP16,.3 DIP16,.3 -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR - SQUARE - RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE - IN-LINE - CHIP CARRIER - IN-LINE IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V - 5 V - 5 V - 5 V 5 V -
Prop。Delay @ Nom-Su 36 ns - 36 ns - 28 ns - 36 ns 33 ns -
传播延迟(tpd) 45 ns - 45 ns - 35 ns - 45 ns 42 ns -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 1.75 mm - 5.1 mm - 4.57 mm - 5.08 mm 5.08 mm -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V - 5.5 V - 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V - 4.5 V - 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V - 5 V - 5 V 5 V -
表面贴装 YES - NO - YES - NO NO -
技术 CMOS - CMOS - CMOS - CMOS CMOS -
温度等级 MILITARY - MILITARY - INDUSTRIAL - MILITARY MILITARY -
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 GULL WING - THROUGH-HOLE - J BEND - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm - 1.27 mm - 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 DUAL - DUAL - QUAD - DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
宽度 3.9 mm - 7.62 mm - 8.9662 mm - 7.62 mm 7.62 mm -
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