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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> IR590SG06HCB
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IR590SG06HCB

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小81KB，共3页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IR590SG06HCB概述

Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER

IR590SG06HCB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码WAFER
包装说明UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流140 mA
最大直流栅极触发电压2 V
最大维持电流180 mA
JESD-30 代码O-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
断态重复峰值电压600 V
重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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Bulletin I0213J 10/00
IR590SG..HCB
PHASE CONTROL THYRISTORS
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Reference IR Packaged Part:
Square 590 mils
4"
600 to 1200 V
Glassivated MESA
181RKI Series
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
TM
Maximum On-state Voltage
Units
1.2 V
600 to 1200 V
140 mA
2V
5 to 180 mA
900 mA
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
T
= 25 A
T
J
= 25°C, I
DRM
/I
RRM
= 100 µA
(1)
V
DRM
/ V
RRM
Direct and Reverse Breakdown Voltage
I
GT
V
GT
I
H
I
L
Max. Required DC Gate Current to Trigger
Max. Required DC Gate Voltage to Trigger
Holding Current Range
Maximum Latching Current
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
Anode supply = 6 V, resistive load
Anode supply = 6 V, resistive load
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
590 x 590 mils (see drawing)
100 mm, with std. <110> flat
370 µm ± 10 µm
130 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination

IR590SG06HCB相似产品对比

IR590SG06HCB IR590SG08HCB IR590SG06H IR590SG08H IR590SG12H IR590SG12HCB
描述 Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, DIE-2 Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, DIE-2 Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 WAFER DIE WAFER DIE WAFER WAFER
包装说明 UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 140 mA 140 mA 140 mA 140 mA 140 mA 140 mA
最大直流栅极触发电压 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大维持电流 180 mA 180 mA 180 mA 180 mA 180 mA 180 mA
JESD-30 代码 O-XUUC-N S-XUUC-N2 O-XUUC-N S-XUUC-N2 O-XUUC-N O-XUUC-N
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND SQUARE ROUND SQUARE ROUND ROUND
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
断态重复峰值电压 600 V 800 V 600 V 800 V 1200 V 1200 V
重复峰值反向电压 600 V 800 V 600 V 800 V 1200 V 1200 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

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