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5082-2766

产品描述Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 200ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小4MB,共8页
制造商Hewlett Packard Co
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5082-2766概述

Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 200ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon

5082-2766规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hewlett Packard Co
包装说明S-CDMW-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性MATCHED BATCH WITH MINIMUM OF 20 UNITS OF 5082-2765
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND
最大阻抗200 Ω
最小阻抗150 Ω
JESD-30 代码S-CDMW-F2
JESD-609代码e0
最大噪声指数6 dB
元件数量1
端子数量2
最大工作频率18 GHz
最小工作频率1 GHz
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
脉冲输入最大功率0.125 W
脉冲输入功率最小值1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
肖特基势垒类型LOW BARRIER
Base Number Matches1

 
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