M9346-RBN3T,M9346-RBN3T pdf中文资料,M9346-RBN3T引脚图,M9346-RBN3T电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> M9346-RBN3T

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M9346-RBN3T: 产品描述256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8; 产品类别存储; 文件大小303KB，共32页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M9346-RBN3T概述

256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

256 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

M9346-RBN3T规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	8
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	2.5 V
额定供电电压	5 V
最大时钟频率	2 MHz
加工封装描述	0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, 塑料, SO-8
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	1.27 mm
端子涂层	镍钯金
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	16
组织	256 × 16
存储密度	4096 deg
操作模式	同步
位数	256 words
位数	256
内存IC类型	总线串行电可擦除只读存储器
串行并行	串行
写周期最大TWC	5 ms

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