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M93S66-RDS3G

产品描述256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小303KB,共32页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M93S66-RDS3G概述

256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

256 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

M93S66-RDS3G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.B.1
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度3 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms

 
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