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M93S66-RMN3

产品描述256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小303KB,共32页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M93S66-RMN3概述

256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

256 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

M93S66-RMN3规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.B.1
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.9 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
小白求助(spi中断方式)
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