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HM51W16165BJ-7

产品描述EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
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文件大小335KB,共36页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM51W16165BJ-7概述

EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

HM51W16165BJ-7规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数42
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J42
长度27.06 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量42
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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