Cache SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | PLASTIC, TQFP-100 |
| 针数 | 100 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 8 ns |
| 其他特性 | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD (800) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| CY7C1336L-100AC | CY7C1336L-117AC | CY7C1336-100AC | CY7C1336-117AC | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | Cache SRAM, 64KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | Cache SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | Cache SRAM, 64KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | QFP | QFP | QFP | QFP |
| 包装说明 | PLASTIC, TQFP-100 | PLASTIC, TQFP-100 | PLASTIC, TQFP-100 | PLASTIC, TQFP-100 |
| 针数 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 8 ns | 7.5 ns | 8 ns | 7.5 ns |
| 其他特性 | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 20 mm | 20 mm | 20 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX32 | 64KX32 | 64KX32 | 64KX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP | LQFP | LQFP | LQFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 225 | 225 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V | 3.63 V | 3.63 V | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD (800) | TIN LEAD (800) | TIN LEAD (800) | TIN LEAD (800) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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