M95020-RMN6TG/W,M95020-RMN6TG/W pdf中文资料,M95020-RMN6TG/W引脚图,M95020-RMN6TG/W电路-Datasheet-电子工程世界

M95020-RMN6TG/W: 产品描述512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8; 产品类别存储; 文件大小294KB，共42页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M95020-RMN6TG/W概述

512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

512 × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	8
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	2.5 V
额定供电电压	5 V
最大时钟频率	10 MHz
加工封装描述	0.150 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 塑料, SOP-8
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	1.27 mm
端子涂层	镍钯金
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	8
组织	512 × 8
存储密度	4096 deg
操作模式	同步
位数	512 words
位数	512
内存IC类型	总线串行电可擦除只读存储器
串行并行	串行
写周期最大TWC	5 ms

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