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HCS161DMSR

产品描述Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, CDIP16,
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小217KB,共9页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HCS161DMSR概述

Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, CDIP16,

HCS161DMSR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性TCO OUTPUT
计数方向UP
系列HC/UH
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
负载/预设输入YES
逻辑集成电路类型BINARY COUNTER
最大I(ol)0.004 A
工作模式SYNCHRONOUS
位数4
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
传播延迟(tpd)39 ns
认证状态Not Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量200k Rad(Si) V
触发器类型POSITIVE EDGE
Base Number Matches1

HCS161DMSR相似产品对比

HCS161DMSR 5962R9573001VXC 5962R9573001V9A HCS161D/SAMPLE HCS161KMSR HCS161K/SAMPLE HCS161HMSR 5962R9573001VEC
描述 Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, CDIP16, Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, DIE-16 Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, CDIP16, Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, CDFP16, Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, CDFP16, Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS Binary Counter, HC/UH Series, Synchronous, Positive Edge Triggered, 4-Bit, Up Direction, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
包装说明 DIP, DIP16,.3 DFP, DIE, , DFP, FL16,.3 , DIE, DIP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
计数方向 UP UP UP UP UP UP UP UP
系列 HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 R-CDFP-F16 X-XUUC-N16 R-CDIP-T16 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16 X-XUUC-N16 R-CDIP-T16
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
负载/预设输入 YES YES YES YES YES YES YES YES
逻辑集成电路类型 BINARY COUNTER BINARY COUNTER BINARY COUNTER BINARY COUNTER BINARY COUNTER BINARY COUNTER BINARY COUNTER BINARY COUNTER
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
位数 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16 16 16 16 16
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK UNCASED CHIP IN-LINE FLATPACK FLATPACK UNCASED CHIP IN-LINE
传播延迟(tpd) 39 ns 39 ns 39 ns 39 ns 39 ns 39 ns 39 ns 39 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO YES YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE FLAT FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL UPPER DUAL DUAL DUAL UPPER DUAL
触发器类型 POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE
厂商名称 Harris Harris - Harris Harris Harris Harris Harris
JESD-609代码 e0 e4 e0 - e0 - - e4
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C - 125 °C - 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C - -55 °C - -55 °C -55 °C
封装代码 DIP DFP DIE - DFP - DIE DIP
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY - MILITARY - MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) GOLD TIN LEAD - Tin/Lead (Sn/Pb) - - GOLD
总剂量 200k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V - 200k Rad(Si) V - - 100k Rad(Si) V
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