EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micross |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 3.048 mm |
| 最大待机电流 | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.055 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 宽度 | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| AS58C1001ECA-20/XT | AS58C1001ECA-25/IT | AS58C1001ECA-15/XT | AS58C1001ECA-15/IT | AS58C1001ECA-20/IT | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micross | Micross | Micross | Micross | Micross |
| 零件包装代码 | QFJ | QFJ | QFJ | QFJ | QFJ |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | EAR99 | 3A001.A.2.C | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns | 250 ns | 150 ns | 150 ns | 200 ns |
| 命令用户界面 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | YES | YES | YES |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -55 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | QCCN | QCCN | QCCN | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 128 words | 128 words | 128 words | 128 words | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 座面最大高度 | 3.048 mm | 3.048 mm | 3.048 mm | 3.048 mm | 3.048 mm |
| 最大待机电流 | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.055 mA | 0.05 mA | 0.065 mA | 0.065 mA | 0.055 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
