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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRGNIN150K06
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IRGNIN150K06

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB，共1页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRGNIN150K06概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

IRGNIN150K06规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Codeunknown
其他特性CHOPPER SWITCH
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)170 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PUFM-X7
元件数量1
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值658 W
最大功率耗散 (Abs)658 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2.7 V
Base Number Matches1

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IRGNIN150K06相似产品对比

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描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 520A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, Insulated Gate Bipolar Transistor, 680A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 680A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 260A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X4 POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X7 POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X4 POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X4 POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X7 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X7 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 CHOPPER SWITCH LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS CHOPPER SWITCH LOW CONDUCTION LOSS CHOPPER SWITCH CHOPPER SWITCH
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 170 A 520 A 130 A 680 A 680 A 340 A 170 A 260 A 130 A 130 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE
门极发射器阈值电压最大值 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X7 R-MUPM-X4 R-MUPM-X7 R-MUPM-X4 R-MUPM-X4 R-MUPM-X7 R-PUFM-X7 R-MUPM-X7 R-PUFM-X7 R-PUFM-X7
元件数量 1 1 2 1 1 2 1 2 1 1
端子数量 7 4 7 4 4 7 7 7 7 7
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL METAL METAL METAL METAL PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT FLANGE MOUNT POST/STUD MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 658 W 1984 W 500 W 2604 W 2604 W 1316 W 658 W 1000 W 500 W 500 W
最大功率耗散 (Abs) 658 W 1980 W 500 W 2600 W 2600 W 1320 W 658 W 1000 W 500 W 500 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V

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