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1N4005SGP1G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小229KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N4005SGP1G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon

1N4005SGP1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层Pure Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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CREAT BY ART
1N4001SG - 1N4007SG
1.0 AMP. Glass Passivated Rectifiers
A-405
Features
Glass passivated chip junction
High efficiency, Low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss
φ0.6mm
leads
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Pure tin plated, lead free, solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode
High temperature soldering guaranteed: 260℃/10s
Weight: 0.22 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@1A
Maximum DC Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
Note1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle
@ T
A
=25
@ T
A
=125℃
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Cj
R
θJA
T
J
, T
STG
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
4001SG 4002SG 4003SG 4004SG 4005SG 4006SG 4007SG
50
100
200
400
600
800
1000
35
50
70
100
140
200
280
400
1
30
1.0
5
100
10
80
- 55 to + 150
420
600
560
800
700
1000
Units
V
V
V
A
A
V
uA
uA
pF
O
Typical Junction Capacitance (Note 2)
C/W
O
C
Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Version:D13
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