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MA02305AK-SMB

产品描述3.0 V 100 mW RF Power Amplifier IC for Bluetooth
文件大小141KB,共5页
制造商MACOM
官网地址http://www.macom.com
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MA02305AK-SMB概述

3.0 V 100 mW RF Power Amplifier IC for Bluetooth

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3.0 V 100 mW RF Power Amplifier
IC for Bluetooth
V 1.00
MA02305AK
Features
n
20 dB Gain – dramatically increases range of your low
n
n
n
n
n
n
n
MA02305AK
power Bluetooth devices
Single 3.0V positive supply – operates over a wide
range of supply voltages
Extremely small size – 6 pin SOT plastic package -
3 mm x 1.75 mm body size
Output power easily controllable via V
DD1
45% Power Added Efficiency
100% Duty Cycle
2000 to 2900 MHz Operation
Self-Aligned MSAG
®
-Lite MESFET Process
Description
The MA02305AK is an RF power amplifier based on M/A-
COM’s Self-Aligned MSAG
®
MESFET Process. This
product is designed for use in 2.4 GHz ISM products as a
booster for high power Bluetooth devices. Output power
can be controlled to meet Bluetooth requirements via vary-
ing input power or the voltage on V
DD1
.
Maximum Ratings
Rating
DC Supply Voltage
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
V
DD
P
IN
T
J
T
STG
Value
5.5
10
150
-40 to +150
Unit
V
mW
°C
°C
Ordering Information
Part Number
MA02305AK-R7
MA02305AK-SMB
Package
7 inch, 3000 Piece Reel
MA02305AK Test Board
RF Input Power
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Electrical Characteristics:
Characteristic
V
DD1
= 2.5 V, V
DD2
= 3 V, P
IN
= +0 dBm, Duty Cycle = 100%, T
A
= 25°C
Symbol
ƒ
P
OUT
η
-
S
21
R
T H
-
-
Min
2400
18.7
40
20
45
-30
-27
1.5
-25
180
-26
-22
2.0
Typ
Max
2500
Unit
MHz
dBm
%
dBc
:1
dB
°C/W
Frequency Range
Output Power f = 2450 MHz
Power Added Efficiency f = 2450 MHz
Harmonics
Input VSWR
Off Isolation (V
DD
=0 V)
Thermal Resistance, junction to soldering point (pin 2)
Load Mismatch (V
DD
= 5.5 V, VSWR = 8:1, P
IN
= 0 dBm)
Stability (P
IN
= 0dBm, V
DD
= 0-5.5 V, Load VSWR = 5:1, fixed phases)
No Degradation in Power Output
All non-harmonically related outputs
more than 60 dB below desired signal

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厂商名称 - MACOM MACOM
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