Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> IR180DM08CCBPBF

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IR180DM08CCBPBF: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon, WAFER; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小110KB，共3页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IR180DM08CCBPBF概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon, WAFER

IR180DM08CCBPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER
包装说明	O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-XUUC-N
元件数量	1
相数	1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
Base Number Matches	1

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Bulletin I0120J rev. A 02/97

IR180DM..CCB SERIES

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

RRM

Class:

Passivation Process:

Square 180 mils

800 and 1200 V

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part:

20ETS Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

RRM

Maximum Forward Voltage

Reverse Breakdown Voltage Range

Units

1050 mV

800 and 1200 V

Test Conditions

= Amb., I

= 20 A

= Amb., I

RRM

= 100 µA

(1)

Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

180 x 180 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 110 > flat

300 µm

45 µm

0.25 mm diameter minimum

See drawing

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

www.irf.com

IR180DM08CCBPBF相似产品对比

	IR180DM08CCBPBF	IR180DM08CPBF	IR180DM12CPBF	IR180DM12CCBPBF
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER	WAFER	WAFER	WAFER
包装说明	O-XUUC-N	O-XUUC-N	O-XUUC-N	O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-XUUC-N	O-XUUC-N	O-XUUC-N	O-XUUC-N
元件数量	1	1	1	1
相数	1	1	1	1
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V	800 V	1200 V	1200 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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