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5082-2356

产品描述Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小64KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-2356概述

Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon,

5082-2356规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明R-XDMW-W4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
最大二极管电容1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-XDMW-W4
元件数量4
端子数量4
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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5082-2356
SCHOTTKY BARRIER DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2356
is a Silicon Small
Signal Schottky Diode for General
Purpose UHF/VHF Detection and Pulse
Applications. Color Band Indicates
Cathode.
PACKAGE STYLE BRIDGE QUAD CAPSULE
FEATURES:
Matched Bridge Quad Encapsulated
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
35 mA
20 V
250 mW @ T
A
= 25 °C
-60 °C to +200 °C
-60 °C to +200 °C
700 °C/W
Dimmensions in millimeters (inches)
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
BR
I
R
V
F
∆V
F
∆C
O
C
T
τ
V
R
= 0 V
I
F
= 20 mA
I
R
= 10
µA
V
R
= 15 V
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 35 mA
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
MINIMUM
20
TYPICAL
MAXIMUM
500
0.4
1.0
20
UNITS
V
nA
V
mV
pF
pF
pS
I
F
= 0.75, 20 mA
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
0.2
1.0
100
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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