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MA27D29

产品描述Schottky Barrier Diodes (SBD)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA27D29概述

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA27D29规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码DFP
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.42 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.001 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA27D29
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For super high speed switching
Features
Low forward voltage: V
F
<
0.42 V (at I
F
=
100 mA)
Optimum for high frequency rectification because of its short
reverse recovery time t
rr
.
0.27
+0.05
–0.02
1
1.00
±0.05
1.40
±0.05
0.12
+0.05
–0.02
2
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Forward current (Average)
Peak forward current
Non-repetitive peak forward
surge current
*
Junction temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
125
−55
to
+125
°C
°C
Symbol
V
R
V
RRM
I
F(AV)
I
FM
I
FSM
Rating
30
30
100
200
1
Unit
V
0.60
±0.05
0.20
±0.05
mA
mA
A
0 to 0.01
V
1: Anode
2: Cathode
SSSMini2-F2 Package
Marking Symbol: 8M
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
±
3°C
Parameter
Forward voltage
Symbol
V
F1
V
F2
Reverse current
I
R1
I
R2
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
I
F
=
10 mA
I
F
=
100 mA
V
R
=
10 V
V
R
=
30 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
11
1
Conditions
Min
Typ
0.25
0.39
Max
0.29
0.42
25
120
Unit
V
V
µA
µA
pF
ns
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz
4. *: t
rr
measurement circuit
Bias Application Unit (N-50BU)
t
r
10%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Input Pulse
t
p
t
I
F
t
rr
t
I
rr
=
10 mA
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
Output Pulse
A
Wave Form
Analyzer
(SAS-8130) V
R
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
0.15 max.
0.52
±0.03
0.20
±0.05
Publication date: January 2004
SKH00128BED
1

MA27D29相似产品对比

MA27D29 MA27784
描述 Schottky Barrier Diodes (SBD) Schottky Barrier Diodes (SBD)
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下)
包装说明 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.42 V 0.55 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流 1 A 1 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.001 µs 0.002 µs
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 GULL WING FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10
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