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MA2D760

产品描述Schottky Barrier Diodes (SBD)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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MA2D760概述

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA2D760规格参数

参数名称属性值
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SFM
包装说明R-PSFM-T2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JEDEC-95代码TO-220
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流90 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压90 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2D760
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For switching power supply
I
Features
TO-220D Package
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 5 A) condition
V
R
= 90 V guaranteed
Single type
9.9
±
0.3
3.0
±
0.5
4.6
±
0.2
2.9
±
0.2
15.0
±
0.5
φ 3.2 ±
0.1
1.5
0.4
+
0
13.7
±
0.2
4.2
±
0.2
2.6
±
0.1
1.4
±
0.2
0.8
±
0.1
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Non-repetitive peak forward
surge current
*
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
j
T
stg
Rating
90
5
90
−40
to
+125
−40
to
+125
Unit
V
A
A
°C
°C
0.55
±
0.15
5.08
±
0.5
2.54
±
0.3
1
2
1 : Cathode
2 : Anode
TO-220D Package (2-pin)
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
(non-repetitive)
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Thermal resistance
Symbol
I
R
V
F
R
th(j-c)
V
R
= 90 V
I
F
= 5 A
Direct current (between junction and case)
Conditions
Min
Typ
Max
3
0.58
3
Unit
mA
V
°C/W
Note) Rated input/output frequency: 150 kHz
1
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