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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FMW-2156R
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FMW-2156R

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小452KB，共2页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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FMW-2156R概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

FMW-2156R规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANKEN
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220F, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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4-4 Schottky Barrier Diodes
V
RM
(V)
I
F
(AV)
(A)
0.7
0.7
1.5
1.5
2.0
3.5
Package
Axial
(Body Diameter/Lead Diameter)
Axial(
φ
2.4/
φ
0.6)
Axial(
φ
2.7/
φ
0.6)
Axial(
φ
2.7/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.98)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
TO-220F(Center-tap)
TO-220F2Pin
TO-220F(Center-tap)
TO-220F(Center-tap)
TO-220F(Center-tap)
TO-220F(Center-tap)
TO-3PF(Center-tap)
Axial(
φ
2.4/
φ
0.6)
Axial(
φ
2.7/
φ
0.6)
Axial(
φ
2.7/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.98)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
TO-220F(Center-tap)
TO-220F2Pin
TO-220F(Center-tap)
Part Number
AK 06
EK 06
EK 16
RK 16
RK 36
RK 46
FMB-26
FMB-G16L
FMB-26L
FMW-2156
FMB-2206
FMB-2306
FMW-4306
AK 09
EK 09
EK 19
RK 19
RK 39
RK 49
FMB-29
FMB-G19L
FMB-29L
I
FSM
(A)
50Hz
Single Half Sine Wave
10
10
25
25
40
70
40
50
50
100
150
150
150
10
10
40
40
50
60
50
60
60
T
j
(
°C)
T
stg
(°C)
V
F
(V)
max
0.62
0.62
0.62
0.62
0.62
0.62
0.62
0.62
0.62
0.7
0.7
0.7
0.7
0.81
0.81
0.81
0.81
0.81
0.81
0.81
0.81
0.81
I
F
(A)
0.7
0.7
1.5
1.5
2.0
3.5
2.0
5.0
5.0
7.5
10.0
15
15
0.7
0.7
1.5
1.5
2.0
3.5
2.0
4.0
4.0
I
R
(mA)
V
R
=V
RM
max
1
1
1
1
2
3
1
5
2.5
5
8
8
3
1
1
2
2
3
5
3
5
5
I
R
(H)
(mA)
V
R
=V
RM
max
30
30
55
55
70
125
55
175
175
175
275
400
350
30
30
55
55
70
125
70
125
125
T
a
(°C)
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
Rth(j-l)
Rth(j-c)
(
°C
/W)
22
20
17
15
12
8
4
4
4
4
4
4
2
22
20
17
15
12
8
4
4
4
Mass
(g)
0.13
0.3
0.3
0.45
0.6
1.2
2.1
2.1
2.1
2.1
2.1
2.1
6.5
0.13
0.3
0.3
0.45
0.6
1.2
2.1
2.1
2.1
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
60
4.0
6.0
10
15
20
30
30
0.7
0.7
1.5
1.5
90
2.0
3.5
4.0
4.0
8.0
Low VF “A Series”
●Surface-Mount
V
RM
(V)
I
F
(AV)
(A)
1.0
30
2.0
3.0
Package
Surface-Mount (SJP)
Surface-Mount (SJP)
Surface-Mount (SJP)
Part Number
SJPA-D3
SJPA-H3*
SJPA-L3
I
FSM
(A)
50Hz
Single Half Sine Wave
30
40
50
T
j
(
°
C)
T
stg
(
°
C)
V
F
(V)
max
0.36
0.36
0.36
I
F
(A)
1.0
2.0
3.0
I
R
(mA)
V
R
=V
RM
max
1.5
3.0
4.5
I
R
(H)
(mA)
V
R
=V
RM
max
70
140
210
T
a
(
°
C)
100
100
100
Rth(j-l)
Rth(j-c)
(
°
C/W)
20
20
20
Mass
(g)
0.072
0.072
0.072
-40 to +125
-40 to +125
-40 to +125
●Thru-Hole
V
RM
(V)
30
I
F
(AV)
(A)
2.0
Package
Axial
(Body Diameter/Lead Diameter)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Part Number
RA 13
I
FSM
(A)
50Hz
Single Half Sine Wave
40
T
j
(
°
C)
T
stg
(
°
C)
V
F
(V)
max
0.36
I
F
(A)
2.0
I
R
(mA)
V
R
=V
RM
max
3.0
I
R
(H)
(mA)
V
R
=V
RM
max
140
T
a
(
°
C)
100
*Under development
Rth(j-l)
Rth(j-c)
(
°
C/W)
15
Mass
(g)
0.45
-40 to +125
Diodes
199

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