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MA3D649

产品描述Silicon planar type (cathode common)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小237KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA3D649概述

Silicon planar type (cathode common)

MA3D649规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.98 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Fast Recovery Diodes (FRD)
MA3D649
(MA6D49)
Silicon planar type (cathode common)
Unit: mm
For high-frequency rectification
Features
9.9
±0.3
4.6
±0.2
2.9
±0.2
M
ain
Di
sc te
on na
tin nc
ue e/
d
13.7
±0.2
4.2
±0.2
Solder Dip
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Symbol
V
RRM
V
RSM
Repetitive peak reverse voltage
Non-repetitive peak reverse
surge voltage
Forward current (Average)
Non-repetitive peak forward
surge current *
Junction temperature
Storage temperature
I
F(AV)
I
FSM
T
j
−40
to
+150
−40
to
+150
T
stg
Note) *: 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
±
3°C
tin
Parameter
Symbol
V
F
on
Forward voltage
isc
Repetitive peak reverse current
Reverse recovery time
*
Thermal resistance (j-c)
Thermal resistance (j-a)
I
RRM1
t
rr
I
RRM2
Ma
int
en
R
th(j-c)
R
th(j-a)
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Absolute frequency of input and output is 10 MHz.
3. *: t
rr
measurement circuit
50
50
D.U.T
5.5
d
pla inc
Pl
ea
ne lud
se
pla m d m es
ne ain ain foll
htt visit
d d te te ow
p:/ fo
/w llo dis isc nan nan ing
ww wi co on ce c fo
.se ng ntin tin ty e ty ur
mi UR ue ued pe pe Pro
co L a d t ty
du
n.p bo yp pe
ct
e
life
an ut
d
as lat
cy
on es
cle
ic. t in
sta
co fo
ge
.jp rm
.
/en at
/ ion
.
0.8
±0.1
0.55
±0.15
Low forward voltage V
F
Fast reverse recovery time t
rr
TO-220D (Full-pack package) with high dielectric breakdown
voltage
Easy-to-mount, caused by its V cut lead end
15.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
1.4
±0.2
1.6
±0.2
3.0
±0.5
2.6
±0.1
Rating
200
200
5
Unit
V
V
A
A
2.54
±0.30
5.08
±0.50
1
2
3
1: Anode
2: Cathode
(Common)
3: Anode
TO-220D-A1 Package
30
Internal Connection
°C
°C
1
2
3
ue
Conditions
Min
Typ
Max
0.98
20
2
Unit
V
µA
ns
I
F
=
2.5 A, T
C
=
25°C
V
RRM
=
200 V, T
C
=
25°C
I
F
=
1 A, I
R
=
1 A
/D
V
RRM
=
200 V, T
j
=
150°C
mA
ce
an
30
3.0
63
°C/W
°C/W
t
rr
I
F
I
R
0.1
×
I
R
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Publication date: March 2004
SKJ00002BED
1

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MA3D649 MA6D49
描述 Silicon planar type (cathode common) Silicon planar type (cathode common)
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下)
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.98 V 0.98 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最大输出电流 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 200 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
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