Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MA3D691

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MA3D691: 产品描述Silicon planar type; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小41KB，共2页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html; 标准

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MA3D691概述

Silicon planar type

MA3D691规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SFM
包装说明	R-PSFM-T2
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
应用	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JEDEC-95代码	TO-220
JESD-30 代码	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流	70 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向恢复时间	0.1 µs
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
Base Number Matches	1

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Fast Recovery Diodes (FRD)

MA3D691

Silicon planar type

Unit : mm

For high-frequency rectification

15.0

0.5

9.9

0.3

4.6

0.2

Features

•

Low forward rise voltage V

•

Fast reverse recovery time t

•

TO-220D (Full-pack package) with high dielectric breakdown

voltage

5.0 kV

•

Easy-to-mount, caused by its V cut lead end

3.2

0.1

13.7

0.2

4.2

0.2

1.5

−

0.4

3.0

0.5

2.9

0.2

2.6

0.1

1.4

0.2

0.8

0.1

0.55

0.15

Absolute Maximum Ratings

25°C

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse

surge voltage

Average forward current

Non-repetitive peak forward

surge

current

stg

−40

+150

−40

+150

°C

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

RRM

RSM

F(AV)

FSM

Rating

200

Unit

5.08

0.5

2.54

0.3

1 : Cathode

2 : Anode

TO-220D Package (2-pin)

Note) * : Half sine-wave; 10 ms/cycle

Electrical Characteristics

25°C

Parameter

Repetitive peak reverse current

Symbol

RRM1

RRM2

Forward voltage (DC)

Reverse recovery time

Thermal resistance

th(j-c)

th(j-a)

Note) 1. Rated input/output frequency: 10 MHz

2. Tightening torque-max. 8 kg

3. * : t

measuring circuit

Ω

Conditions

RRM

= 200 V, T

= 25°C

RRM

= 200 V, T

= 150°C

= 10 A, T

= 25°C

= 1 A, I

= 1 A

Min

Typ

Max

100

1.00

100

Unit

µA

°C/W

D.U.T

5.5

Ω

0.1

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