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MA3D756

产品描述Silicon epitaxial planar type (cathode common)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小231KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA3D756概述

Silicon epitaxial planar type (cathode common)

MA3D756规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流120 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3D756
(MA7D56)
Silicon epitaxial planar type (cathode common)
Unit: mm
For switching mode power supply
9.9
±0.3
4.6
±0.2
2.9
±0.2
3.0
±0.5
M
ain
Di
sc te
on na
tin nc
ue e/
d
13.7
±0.2
4.2
±0.2
Solder Dip
Low forward voltage V
F
High dielectric breakdown voltage:
>
5 kV
Easy-to-mount, due to its V cut lead end
15.0
±0.5
Features
φ
3.2
±0.1
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25°C
Parameter
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
j
Repetitive peak reverse voltage
Forward current (Average)
Non-repetitive peak forward
surge current
*
Junction temperature
Storage temperature
60
10
−40
to
+125
−40
to
+125
T
stg
Note) *: Half sine wave; 10 ms/cycle
on
Parameter
tin
Symbol
V
F
I
R
ue
Electrical Characteristics
T
C
=
25°C
±
3°C
isc
Forward voltage
Reverse current
2. Absolute frequency of input and output is 50 MHz.
Ma
int
en
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
an
Thermal resistance (j-c)
R
th(j-c)
d
pla inc
Pl
ea
ne lud
se
pla m d m es
ne ain ain foll
htt visit
d d te te ow
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/w llo dis isc nan nan ing
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e
life
an ut
d
as lat
cy
on es
cle
ic. t in
sta
co fo
ge
.jp rm
.
/en at
/ ion
.
0.8
±0.1
0.55
±0.15
1.4
±0.2
1.6
±0.2
2.6
±0.1
Rating
Unit
V
A
2.54
±0.30
5.08
±0.50
1
2
3
120
A
°C
°C
1: Anode
2: Cathode
3: Anode
TO-220D-A1 Package
Conditions
Min
Typ
Max
0.58
3
Unit
V
I
F
=
5 A
/D
V
R
=
60 V
mA
ce
3.0
°C/W
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Publication date: January 2004
SKH00046BED
1

MA3D756相似产品对比

MA3D756 MA7D56
描述 Silicon epitaxial planar type (cathode common) Silicon epitaxial planar type (cathode common)
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.58 V 0.55 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 120 A 120 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最大输出电流 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 60 V 60 V
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10

 
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