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MA3D799

产品描述Silicon epitaxial planar type (cathode common)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小230KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA3D799概述

Silicon epitaxial planar type (cathode common)

MA3D799规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.47 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流120 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3D799
(MA10799)
Silicon epitaxial planar type (cathode common)
Unit: mm
For switching mode power supply
9.9
±0.3
4.6
±0.2
2.9
±0.2
3.0
±0.5
M
ain
Di
sc te
on na
tin nc
ue e/
d
13.7
±0.2
4.2
±0.2
Solder Dip
Forward current (Average) I
F(AV)
=
10 A rectification is possible
Cathode-common dual type
Low forward voltage: V
F
<
0.47 V
15.0
±0.5
Features
φ
3.2
±0.1
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25°C
Parameter
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
j
Repetitive peak reverse voltage
Forward current (Average)
Non-repetitive peak forward
surge current
*
Junction temperature
Storage temperature
30
10
−40
to
+125
−40
to
+125
T
stg
Note) *: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
on
Parameter
tin
Symbol
V
F
I
R
ue
Electrical Characteristics
T
C
=
25°C
±
3°C
isc
Forward voltage
Reverse current
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.
Ma
int
en
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
an
Thermal resistance (j-c)
R
th(j-c)
d
pla inc
Pl
ea
ne lud
se
pla m d m es
ne ain ain foll
htt visit
d d te te ow
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e
life
an ut
d
as lat
cy
on es
cle
ic. t in
sta
co fo
ge
.jp rm
.
/en at
/ ion
.
0.8
±0.1
0.55
±0.15
1.4
±0.2
1.6
±0.2
2.6
±0.1
Rating
Unit
V
A
2.54
±0.30
5.08
±0.50
1
2
3
120
A
°C
°C
1: Anode
2: Cathode
(common)
3: Anode
TO-220D-A1 Package
Conditions
Min
Typ
Max
0.47
3
Unit
V
I
F
=
5 A, T
C
=
25°C
/D
V
R
=
30 V, T
C
=
25°C
mA
ce
3.0
°C/W
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Publication date: April 2004
SKH00050BED
1

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MA3D799 MA10799
描述 Silicon epitaxial planar type (cathode common) Silicon epitaxial planar type (cathode common)
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 120 A 120 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最大输出电流 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10

 
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