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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BR2501(W)
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BR2501(W)

产品描述Bridge Rectifier Diode, 25A, 100V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小75KB，共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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BR2501(W)概述

Bridge Rectifier Diode, 25A, 100V V(RRM),

BR2501(W)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流25 A
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BR25005(W) - - - BR2510(W)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 25.0 A
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to
300
Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
BR - W
METAL HEAT SINK
.452
(11.5)
MAX
.042(1.1)
.090(2.0)
PLASTIC
.480(12.2)
.425(10.8)
plastic technique results in inexpensive product
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
Mounting: thru hole for # 8 screw
mounting
1.181(30.0)
1.102(28.0)
HOLE FOR
NO.8 SCREW
AC
.732(18.6)
.692(17.6)
-
+
.468(11.9)
.429(10.9)
AC
1.181(30.0)
1.102(28.0)
.732(18.6)
.692(17.6)
.033x 250
(0.8x 6.4)
inch(mm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BR
25005
(W)
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=50
BR
2501
(W)
100
70
100
BR
2502
(W)
200
140
200
BR
2504
(W)
400
280
400
25.0
BR
2506
(W)
600
420
600
BR
2508
(W)
800
560
800
BR
2510
(W)
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
at
12.5
A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
300.0
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
5.0
0.5
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μ
A
mA
Operating junction temperature range
Storage temperature range
www.galaxycn.com
Document Number 0287050
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BR2501(W)相似产品对比

BR2501(W) BR2504(W) BR2502(W) BR2508(W) BR2510(W) BR25005(W)
描述 Bridge Rectifier Diode, 25A, 100V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 25A, 400V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 25A, 200V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 25A, 800V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 25A, 50V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
最大重复峰值反向电压 100 V 400 V 200 V 800 V 1000 V 50 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO

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