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MA3J744

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小43KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA3J744概述

Silicon epitaxial planar type

MA3J744规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SC-79
包装说明R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SPEED SWITCH
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.003 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3J744
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For super-high speed switching circuit
For small current rectification
I
Features
Small S-mini type package allowing high-density mounting
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 200 mA) condition
2.1
±
0.1
0.425
1.25
±
0.1
0.425
+
0.1
2.0
±
0.2
1.3
±
0.1
0.65 0.65
1
3
2
Parameter
Reverse voltage (DC)
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Peak forward current
Non-repetitive peak forward
surge current
*
Junction temperature
Storage temperature
(non-repetitive)
Symbol
V
R
V
RRM
I
F(AV)
I
FM
I
FSM
T
j
T
stg
Rating
30
30
200
300
1
150
−55
to
+150
Unit
V
V
mA
mA
A
°C
°C
0.9
±
0.1
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
EIAJ : SC-70
Flat S- Mini Type Package (3-pin)
Marking Symbol: M1M
Internal Connection
1
3
2
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
Symbol
I
R
V
F
C
t
t
rr
V
R
= 30 V
I
F
= 200 mA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
30
3
Conditions
Min
Typ
Max
50
0.55
Unit
µA
V
pF
ns
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 1 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
Bias Application Unit N-50BU
t
r
10%
Input Pulse
t
p
t
I
F
t
rr
t
I
rr
=
10 mA
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
Output Pulse
A
V
R
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
0.15
0.05
+
0.1
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
0.3
0
1

MA3J744相似产品对比

MA3J744 MA744
描述 Silicon epitaxial planar type Silicon epitaxial planar type
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下)
零件包装代码 SC-79 SC-79
包装说明 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH SPEED SWITCH HIGH SPEED SWITCH
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.003 µs 0.003 µs
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10
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