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MA3J741E

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA3J741E概述

Silicon epitaxial planar type

MA3J741E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SC-79
包装说明R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.4 V
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.001 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3J741D, MA3J741E
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For switching circuits
0.425
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.425
+
0.1
2.0
±
0.2
1.3
±
0.1
0.65 0.65
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse voltage (DC)
Peak reverse voltage
Forward current
(DC)
Peak forward
current
Single
Double
*
Single
Double
*
T
j
T
stg
I
FM
Symbol
V
R
V
RM
I
F
Rating
30
30
30
20
150
110
125
−55
to
+125
°C
°C
mA
Unit
V
V
mA
0.9
±
0.1
EIAJ : SC-70
Flat S-Mini Type Package
(3-pin)
MA3J741D MA3J741E
1 Cathode 1 Anode 1
2 Cathode 2 Anode 2
3 Anode 1,2 Cathode 1,2
Junction temperature
Storage temperature
Note) * : Value per hcip
Marking Symbol
MA3J741D
: M2P
MA3J741E
: M2R
Internal Connection
1
3
2
2
1
3
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Symbol
I
R
V
F1
V
F2
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
η
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
V
in
= 3 V
(peak)
, f = 30 MHz
R
L
= 3.9 kΩ, C
L
= 10 pF
Conditions
D
Min
Typ
Max
1
0.4
1
0.15
0.05
Two MA3J741s are contained in one package (S-mini type 3-pin)
Low forward rise voltage (V
F
) and satisfactory wave detection
efficiency (η)
Small temperature coefficient of forward characteristic
Extremely low reverse current I
R
1
3
2
+
0.1
0.3
0
I
Features
E
Unit
µA
V
V
pF
ns
1.5
1
Detection efficiency
65
%
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
Bias Application Unit N-50BU
t
r
10%
Input Pulse
t
p
t
I
F
Output Pulse
t
rr
t
I
rr
=
1 mA
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
A
V
R
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
1

MA3J741E相似产品对比

MA3J741E MA3J741D
描述 Silicon epitaxial planar type Silicon epitaxial planar type
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下)
零件包装代码 SC-79 SC-79
包装说明 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.4 V 0.4 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e6 e6
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C
最大输出电流 0.03 A 0.03 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.001 µs 0.001 µs
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Bismuth (Sn/Bi) Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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