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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MA3S132E
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MA3S132E

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB，共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA3S132E概述

Silicon epitaxial planar type

MA3S132E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SC-81
包装说明R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向恢复时间0.003 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Switching Diodes
MA3X152D
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For switching circuits
0.65
±
0.15
2.8
+
0.2
−
0.3
+
0.25
1.5
−
0.05
0.65
±
0.15
0.95
2.9
−
0.05
2
Peak reverse voltage
Forward current
(DC)
Peak forward
current
Non-repetitive peak
forward surge current
*
Junction temperature
Storage temperature
Note) * : t = 1 s
Single
Double
Single
Double
Single
Double
V
RM
I
F
I
FM
I
FSM
T
j
T
stg
80
100
150
225
340
500
750
150
−55
to
+150
V
mA
mA
1 : Cathode 1
2 : Cathode 2
JEDEC : TO-236
3 : Anode 1,2
EIAJ : SC-59
Mini Type Package (3-pin)
mA
°C
°C
Marking Symbol: MO
Internal Connection
1
3
2
I
Electrical Characteristics
T
a
= 25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Reverse voltage (DC)
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
Symbol
I
R
V
F
V
R
C
t
t
rr
V
R
= 75 V
I
F
= 100 mA
I
R
= 100
µA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA, V
R
= 6 V
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
Ω
80
15
10
Conditions
Min
Typ
Max
0.1
1.2
Unit
µA
V
V
pF
ns
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
t
r
10%
Input Pulse
t
p
t
I
F
t
rr
t
I
rr
=
0.1 · I
R
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
Ω
Output Pulse
A
V
R
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Ω
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
Ω
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
0 to 0.1
Reverse voltage (DC)
V
R
80
V
0.1 to 0.3
0.4
±
0.2
1.1
0.8
Parameter
Symbol
Rating
Unit
0.16
−
0.06
+
0.2
−
0.1
+
0.1
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25°C
0.4
−
0.05
•
Short reverse recovery time t
rr
•
Small terminal capacitance, C
t
1.9
±
0.2
+
0.2
I
Features
1
3
0.95
+
0.1
1.45
1

MA3S132E相似产品对比

MA3S132E MA152WA MA3X152D
描述 Silicon epitaxial planar type Silicon epitaxial planar type Silicon epitaxial planar type
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下) Panasonic(松下)
零件包装代码 SC-81 SOT-23 SOT-23
包装说明 R-PDSO-F3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 2 2
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 125 °C 150 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 80 V 80 V 80 V
最大反向恢复时间 0.003 µs 0.01 µs 0.01 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED
JESD-609代码 e6 - e6
湿度敏感等级 1 - 1
最大非重复峰值正向电流 0.5 A - 0.5 A
端子面层 Tin/Bismuth (Sn/Bi) - Tin/Bismuth (Sn/Bi)
JEDEC-95代码 - TO-236 TO-236

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器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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