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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MA3U755
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MA3U755

产品描述Silicon epitaxial planar type (cathode common)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小40KB，共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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MA3U755概述

Silicon epitaxial planar type (cathode common)

MA3U755规格参数

参数名称属性值
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SC-63
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3U755
Silicon epitaxial planar type (cathode common)
Unit : mm
For switching power supply
I
Features
•
Small U-type package and allowing surface mounting
•
Low forward rise voltage V
F
•
Cathode common dual type
6.5
±
0.1
5.3
±
0.1
4.35
±
0.1
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
7.3
±
0.1
1.8
±
0.1
2.5
±
0.1
0.8 max.
0.93
±
0.1
1.0
±
0.1
0.1
±
0.05
0.5
±
0.1
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Non-repetitive peak forward
surge
current
*
T
j
T
stg
−40
to
+125
−40
to
+125
°C
°C
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
Rating
60
5
40
Unit
V
A
1
0.75
±
0.1
2.3
±
0.1
4.6
±
0.1
2
3
A
1 : Anode
2 : Cathode
(Common)
3 : Anode
U-Type Package
Note) * : Half sine-wave: 10 ms/cycle
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Thermal resistance
*
Symbol
I
R
V
F
R
th(j-c)
Conditions
V
R
= 60 V, T
C
= 25°C
I
F
= 2.5 A, T
C
= 25°C
Between junction and case
Min
Typ
Max
1.0
0.58
12.5
Unit
mA
V
°C/W
Note) Rated input/output frequency: 1 000 MHz
* : T
C
= 25°C
1.0
±
0.2
1

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