电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MA3X786D

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
下载文档 详细参数 全文预览

MA3X786D概述

Silicon epitaxial planar type

MA3X786D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SOT-23
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SPEED SWITCH
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.002 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X786D
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit
For small current rectification
2.9
0.05
+
0.2
2.8
0.3
0.65
±
0.15
+
0.2
Unit : mm
0.65
±
0.15
1.5
0.05
+
0.25
0.95
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse voltage (DC)
Repetitive peak reverse voltage
Peak forward
current
Average forward
current
current
*1
T
j
T
stg
125
−55
to
+125
°C
°C
Single
Double
Single
Double
*2
I
FSM
I
F(AV)
*2
Symbol
V
R
V
RRM
I
FM
Rating
30
30
300
200
100
70
1
Unit
V
V
mA
1 : Cathode 1
2 : Cathode 2
JEDEC : TO-236
3 : Anode 1, 2
EIAJ : SC-59
Mini Type Package(3-pin)
mA
Marking Symbol: M3Y
Internal Connection
Non-repetitive peak forward
surge
Junction temperature
Storage temperature
A
1
3
2
Note) *1 : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave (non-repetitive)
*2 : Value per chip
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
Symbol
I
R
V
F
C
t
t
rr
V
R
= 30 V
I
F
= 100 mA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
20
2
Conditions
Min
Typ
Max
15
0.55
Unit
µA
V
pF
ns
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
t
r
10%
Input Pulse
t
p
t
I
F
t
rr
t
I
rr
=
10 mA
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
Output Pulse
A
V
R
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
0 to 0.1
0.1 to 0.3
0.4
±
0.2
1.1
0.8
0.16
0.06
+
0.2
0.1
+
0.1
Two MA3X786s are contained in one package (anode common)
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 100 mA) condition
Optimum for high-frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
Low V
F
(forward rise voltage), with high rectification efficiency
1.9
±
0.2
I
Features
1
3
2
0.95
1.45
0.4
0.05
+
0.1
1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1711  294  171  2074  2828  5  45  38  28  13 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved