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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MA3X786E
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MA3X786E

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB，共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA3X786E概述

Silicon epitaxial planar type

MA3X786E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SOT-23
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SPEED SWITCH
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.002 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X786E
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For super-high speed switching circuit
For small current rectification
•
Two MA3X786s are contained in one package (cathode common)
•
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 100 mA) condition
•
Optimum for high-frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
•
Low V
F
(forward rise voltage), with high rectification efficiency
2.9
−
0.05
2.8
−
0.3
0.65
±
0.15
1.5
+
0.2
+
0.25
−
0.05
0.65
±
0.15
0.95
1.9
±
0.2
I
Features
1
3
2
+
0.2
0.95
1.45
0 to 0.1
+0.2
1.1
−0.1
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse voltage (DC)
Repetitive peak reverse voltage
Peak forward
current
Average forward
current
surge current
*1
Junction temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
125
−55
to
+125
°C
°C
Single
Double
Single
Double
*2
I
FSM
*2
Symbol
V
R
V
RRM
I
FM
I
F(AV)
Rating
30
30
300
200
100
70
1
Unit
V
V
mA
0.1 to 0.3
0.4
±
0.2
1 : Anode 1
2 : Anode 2
JEDEC : TO-236
3 : Cathode 1, 2
EIAJ : SC-59A
Mini Type Package(3-pin)
mA
Marking Symbol: M3Z
Internal Connection
Non-repetitive peak forward
A
1
3
2
Note) *1 : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave (non-repetitive)
*2 : Value per chip
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
Symbol
I
R
V
F
C
t
t
rr
V
R
= 30 V
I
F
= 100 mA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
Ω
20
2
Conditions
Min
Typ
Max
15
0.55
Unit
µA
V
pF
ns
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
 
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
t
r
10%
Input Pulse
t
p
t
I
F
t
rr
t
I
rr
=
10 mA
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
Ω
Output Pulse
A
V
R
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Ω
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
Ω
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
0.8
0.16
−
0.06
+
0.1
0.4
−
0.05
+
0.1
1

MA3X786E相似产品对比

MA3X786E MA786WK MA786WA
描述 Silicon epitaxial planar type Silicon epitaxial planar type Silicon epitaxial planar type
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下) Panasonic(松下)
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH SPEED SWITCH HIGH SPEED SWITCH HIGH SPEED SWITCH
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.55 V 0.55 V 0.55 V
JEDEC-95代码 TO-236 TO-236 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 1 A 1 A 1 A
元件数量 2 2 2
端子数量 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.002 µs 0.002 µs 0.002 µs
表面贴装 YES YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 10

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