GS832236B-166IVT,GS832236B-166IVT pdf中文资料,GS832236B-166IVT引脚图,GS832236B-166IVT电路-Datasheet-电子工程世界

GS832236B-166IVT: 产品描述Cache SRAM, 1MX36, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共42页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS832236B-166IVT概述

Cache SRAM, 1MX36, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	8 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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