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5962-1023001QXC

产品描述Synchronous DRAM, 64MX48, 5.4ns, CMOS, CQFP128, CERAMIC, QFP-128
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文件大小1MB,共70页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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5962-1023001QXC概述

Synchronous DRAM, 64MX48, 5.4ns, CMOS, CQFP128, CERAMIC, QFP-128

5962-1023001QXC规格参数

参数名称属性值
零件包装代码QFP
包装说明QFP,
针数128
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-CQFP-G128
JESD-609代码e4
长度27.56 mm
内存密度3221225472 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度48
功能数量1
端口数量1
端子数量128
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX48
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.61 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层GOLD
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD
宽度15.44 mm
Base Number Matches1

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Standard Products
UT8SDMQ64M40 2.5-Gigabit SDRAM MCM
UT8SDMQ64M48 3.0-Gigabit SDRAM MCM
Preliminary Datasheet
October 25, 2011
FEATURES
Organized as 64M x 40 (16Meg x 40 x 4 banks) and 64Meg
x 48 (16Meg x 48 x 4 banks)
Single JEDEC standard 3.3V power supply
PC100-compliant
Operation -40
o
C to +105
o
C
LVTTL compatible with multiplexed address
Fully synchronous; all signals registered on positive edge
of system clock
Internal pipelined operation; column address can be
changed every clock cycle
Programmable burst lengths: 1,2,4,8, or full page
Auto-precharge, includes concurrent auto precharge, and
auto-refresh mode
32ms, 8,192-cycle refresh
Operational environment:
- Total dose: 100 krad(Si)
- SEL Immune 111 MeV-cm
2
/mg
Package options:
128-lead Ceramic Quad Flatpack
Standard Microcircuit Drawing TBD
- UT8SDMQ64M40: 5962-10229
- UT8SDMQ64M48: 5962-10230
- QML Q and Q+ pending
INTRODUCTION
The UT8SDMQ64M40 and UT8SDMQ64M48 are high
performance, highly integrated Synchronous Dynamic Random
Access Memory (SDRAM) multi-chip modules (MCMs). Total
module density is 2,684,354,560 bits for the 2.5G device and
3,221,225,472 bits for the 3G device. Each bit bank is organized
as 8192 rows by 2048 columns.
Read and write accesses to the DRAM are burst oriented;
accesses start at a selected location and continue for a
programmed number of locations in a programmed sequence.
The programmable READ and WRITE burst lengths (BL) are
1, 2, 4, or 8 locations, or the full page, with a burst terminate
option.
Aeroflex’s SDRAMs are designed to operate at 3.3V. An auto-
refresh mode is provided, along with a power-saving, power-
down mode. All inputs and outputs are LVTTL compatible.
SDRAMs offer significant advances in DRAM operating
execution, including the capability to synchronously burst data
at a high data rate with automatic column-address generation,
to interleave between internal banks to mask precharging time,
and to randomly change column addresses on each clock cycle
during a burst access.
40
DQM5
48
U5
U4
U3
U2
8
8
8
DQM4
DQM3
DQM2
DQM1
DQM0
A[12:0]
BA[1:0]
CLK
CKE
RAS#
CAS#
WE#
CS#
15
U4
U3
U2
U1
8
8
DQM4
8
DQ[7:0](5)
DQ[7:0](4)
DQ[7:0](3)
8
DQ[47:40]
DQ[39:32]
DQ[31:24]
DQ[23:16]
DQ[15:8]
DQ[7:0]
DQ[7:0](4)
DQ[7:0](3)
8
DQ[39:32]
DQ[31:24]
DQ[23:16]
DQ[15:8]
DQ[7:0]
DQM3
DQM2
DQM1
DQM0
A[12:0]
BA[1:0]
CLK
CKE
RAS#
CAS#
WE#
CS#
15
DQ[7:0](2)
DQ[7:0](1)
8
U1
U0
SDRAM
16Meg x 8 x4
8
DQ[7:0](2)
8
U0
SDRAM
16Meg x 8 x4
DQ[7:0](1)
DQ[7:0](0)
DQ[7:0](0)
2.5Gigabit (64Mx40)
3.0Gigabit (64Mx48)
Figure 1. Block Diagrams
1
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