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FX3UM-06

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.54ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小326KB,共7页
制造商POWEREX
官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx
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FX3UM-06概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.54ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

FX3UM-06规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称POWEREX
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.54 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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